Локальное ионное травление и осаждение фокусированным ионным пучком – Nova Nanolab 600 – FIB GIS, FEI

В основе работы системы ионно-лучевого травления и осаждения материалов используется жидкометаллический источник ионов Ga⁺. Осаждение углерода доступно под действием как ионного, так и электроного пучка. Особенность процесса локальной модификации образов под действием фокусрованного ионно пучка (ФИП) состоит в том, что можно выбрать необходимую область на образце в режиме электронной микроскопии, а после, локально ее модифицировать, без воздействия на остальной образец.

Ионная оптика:

• Ионная колонна Magnum™ с Ga⁺ жидкометаллическим источником ионов
• Разрешающая способность: до 7 нм
• Ускоряющие напряжения: от 5 до 30 кВ
• Ток ионного пучка: от 1 пА до 20 нА

Газовые источники для осаждения:

• Вольфрама (W(CO)₆)
• Углерода (C₁₀H₈)

Газовые источники для травления:

• Металлов (Iodine)
• Полимерных материалов (MgSO₄ – 7H₂O)

Оборудование используется при выполнении проектов:

• Фокусированный ионный пучок

Например, мы делаем такие штуки: