Functional Nanomaterials
Technology Lab
Technology Lab
Установка вакуумного напыления, оснащенная высокочастотным магнетроном и магнетроном постоянного тока. Предназначена для напыления металлических и диэлектрических слоев.
Установка предназначена для контролируемого осаждения оксидных пленок в атмосфере кислорода, пьезо- и сегнетоэлектрических пленок многокомпонентных оксидов металлов, тонких металлических пленок в атмосфере аргона или в вакууме.
Установка для молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводников А3В5 для формирования гетероструктур, в том числе пониженной размерности (квантовые ямы, точки, нанопроволоки).
Применение жидкометаллического Ga+-источника позволяет проводить процессы локального профилирования образцов фокусированным ионным пучком, а также осаждения структур из вольфрама (W) или углерода (C) с исползованием источников высослективной газовой химии.
Установка для выращивания массивов многостенных углеродных нанотрубок. Имеется возможность выращивания вертикально ориентированных (рост в плазме) и переплетенных (рост без плазмы, TCVD) массивов УНТ.
Установка для нанесения покрытий металлических и углеродных покрытий. Приемущественно используется при пробоподготовке образцов для электронной микроскопии.
Устройство предназначено для выполнения прецизионных механических операций над образцами в камере растрового электронного или ионного микроскопа.
Установка для совмещения и экспонирования позволяет получать фотолитографические изображения с разрешением до 1 мкм. Предназначена для использования в мелкосерийном производстве и опытных разработках.
Литографическая приставка позволяет управлять электронным или ионным пучком растрового микроскопа для экспонирования резиста по виртуальному шаблону (GDSII).
Установка предназначена для удаления, утонения и доснятия слоев фоторезиста в кислородной плазме.
Установка предназначена для проведения контролируемых процессов плазмохимического травления полупроводниковых и диэлектрических слоев.
Установка предназначена для плазмохимического осаждения из газовой фазы пленок аморфного, нано- и поликристаллического кремния, а также оксида кремния.
Установка предназначена для быстрого термического отжига образцов в управляемой газовой среде или вакууме.
Оснащен оборудованием и расходными материалами для химической очистки образцов, провдения процессов жидкостного травления и фотолитографии.
Реализует все основные методики атомно-силовой и сканирующей туннельной микроскопии для решения задач в области исследования поверхности, электрических, механических, пьезоэлектрических, адгезионных и многих других свойств наноразмерных материалов и структур.
Установка Nova NanoLab 600 предназначена для исследования поверхности методами растровой электронной микроскопии, а также модификации образцов фокусированным ионным пучком.
Позволяет проводить элементный анализ исследуемых образцов.
Установка предназначена для измерения удельного сопротивления, концентрации и подвижности носителей заряда полупроводников.
Аналитическая субмикронная установка для измерений вольт-амперных, вольт-фарадных и высокочастотных характеристик.
Контактный стилусный профилометр для определения высоты ступенек и шероховатости поверхности образца.
4200-SCS Keithley, 6517B Keithley, 2182A Keithley, 6221 Keithley, 6487 Keithley, 7001 Keithley, 428 Keithley, 3401 Keithley, B7-78/1 АКИП, ГСС-05, NI PXI-1042 National Instruments, SFG-2107 GwInstek, Wavepro 7100A LeCroy.