Установка плазмохимического травления в кислородной плазме — YES CV200RFS, Yield Engineering Systems

Установка предназначена для удаления, утонения и доснятия слоев фоторезиста в кислородной плазме. Позволяет производить низкотемпературное плазменное травление (снятие или доснятие) слоев фоторезиста на различных подложках. Доплнительно, установка может использоваться для очистки или модификации поверхности неорганических подложек.

Размер образцов: одна пластина диаметром 200 мм или две пластины до 100 мм

Скорость снятия фоторезиста: 600 — 700 нм/мин

Температура нагрева подложки: до 250 °С

Давление в камере: 0,1 мТорр — 1000 Торр

Мощность источника плазмы: 100 — 1000 Вт (40 кГц)

Технологические и вспомогательные газы:

• Азот (N₂)
• Кислород (O₂)
• Сжатый воздух

Доступные режимы работы:

• Удаление фоторезиста
• Доснятие фоторезиста
• Очистка поверхности полупроводниковых пластин