Молекулярно-лучевая эпитаксия A₃B₅

Молекулярно-лучевая эпитаксия наногетероструктур А₃В₅ является одной из самых динамично развивающихся областей физики и технологии полупроводников на их основе благодаря широкому набору реализуемых методик и возможностям в области синтеза наноразмерных систем. По данному направлению нами успешно реализованы проекты РНФ №19-79-10099 «Новые подходы в капельной эпитаксии наноструктур А₃В₅» (2019-2022) и РНФ №15-19-10006 «Эпитаксиальные гетероструктуры с регулярными массивами самоорганизующихся наноструктур А₃В₅» (2015-2019).

В настоящий момент мы работаем над разработкой подходов и методов, а также созданием масштабируемых технологий реализации эффективного управления процессами самоорганизации эпитаксиальных наноструктур А₃В₅ и сложных систем на их основе.

Мы умеем:

• выращивать наногетероструктуры в системе AlGaInAs, в том числе с квантовыми ямами, квантовыми точками, сверхрешетками и т.п.;
• выращивать нанопроволоки в системе AlGaInAs на подложках кремния;
• выполнять наноразмерную модификацию полупроводниковых подложек с использованием эпитаксиальных и ионно-лучевых технологий;
• моделировать ростовые процессы методом Монте-Карло.

Основные публикации по направлению:

• Low-density arrays of ultra-small InAs nanostructures obtained by two-stage arsenic exposure during droplet epitaxy, Appl. Surf. Sci. 578 (2022) 152023. doi: 10.1016/j.apsusc.2021.152023.
• Independent Control Over Size and Surface Density of Droplet Epitaxial Nanostructures Using Ultra-Low Arsenic Fluxes, Nanomaterials. 11 (2021) 1184. doi: 10.3390/nano11051184.
• Anomalous behavior of In adatoms during droplet epitaxy on the AlGaAs surfaces, Nanotechnology. 31 (2020) 485604. doi: 10.1088/1361-6528/abb15e.
• Mechanism of nucleation and critical layer formation during In/GaAs droplet epitaxy, Nanotechnology. 30 (2019) 505601. doi: 10.1088/1361-6528/ab40d6.
• Hybrid Analytical-Monte Carlo Model of In/GaAs(001) Droplet Epitaxy: Theory and Experiment, Phys. Status Solidi. 255 (2018) 1700360. doi: 10.1002/pssb.201700360.
• Monte Carlo simulation of the kinetic effects on GaAs/GaAs(001) MBE growth, J. Cryst. Growth. 457 (2017) 46–51. doi: 10.1016/j.jcrysgro.2016.05.039.
• Kinetic Monte Carlo simulation of GaAs(001) MBE growth considering the V/III flux ratio effect, J. Vac. Sci. Technol. B. 34 (2016) 041804. doi: 10.1116/1.4948514.
• Effect of interaction in the Ga–As–O system on the morphology of a GaAs surface during molecular-beam epitaxy, Phys. Solid State. 58 (2016) 1045–1052. doi: 10.1134/S1063783416050024.