Установка плазмохимического травления – STE ICP e68, Semiteq

Установка предназначена для проведения контролируемых процессов плазмохимического травления полупроводниковых и диэлектрических слоев. Установка оснащена источником индуктивно-связанной плазмы с ВЧ генератором 13.56 МГц позволяющим эффективно создавать низкотемпературную плазму высокой плотности, а также емкостным электродом для увеличения физической составляющей процесса травления.

Размер образца: диаметром до 150 мм

Источник индуктивно-связанной плазмы: 1200 Вт (13,56 МГц)

Источник емкостной плазмы: 600 Вт

Остаточное давление в камере: не хуже 1,3·10^-5 Па

Технологические газы:

• Азот (N₂)
• Аргон (Ar)
• Трихлорид бора (BCl₃)
• Гексафторид серы (SF₆)

Доступные режимы работы:

• Травление диэлектриков
• Травление полупроводников
• ICP
• RIE
• ICP + RIE