Установка плазмохимического осаждения – PlasmaLab System 100, Oxford Instruments

Установка для плазмохимического осаждения из газовой фазы пленок аморфного (a-Si), нано- и поликристаллического кремния (Poly-Si), а также оксида кремния (SiO_x) на пластинах диаметром до 200 мм.

Осаждаемые пленки: a-Si, poly-Si, SiO_x

ВЧ-генератор: 300 Вт (13,56 МГц)

Рабочее давление процесса: 200 — 2000 мТорр

Температура нагрева подложки: до 700 °C

Размер образца: до 200 мм в диаметре

Технологические газы:

• Аргон (Ar)
• Аргон/Водород (Ar/H₂)
• Азот (N₂)
• Закись азота (N₂O)
• Моносилан (SiH₄)
• Тетрафторид углерода (СF₄)

Доступные режимы работы:

• Осаждение аморфного кремния
• Осаждение поликристаллического кремния
• Осаждение оксида кремния
• Возможность плазменной очистки образцов