Молекулярно-лучевая эпитаксия A3B5 – STE35, Semiteq

Установка для молекулярно-лучевой эпитаксии полупроводников А3В5 для формирования гетероструктур, в том числе пониженной размерности (квантовые ямы, точки, нанопроволоки). Трехкамерная система для эпитаксиального выращивания GaAs и твердых растворов на его основе.

Материалы: Ga, Al, In, As, Be (лигатура), Si (лигатура)

Количество портов молекулярных испарителей: 10

Аналитическое оборудование:

• система дифракции отраженных быстрых электронов (ДОБЭ/RHEED) – in situ мониторинг поверхности
• система пирометрии – бесконтактное измерение температуры подложки
• система масс-спектрометрии – контроль состава атмосферы

Предельный остаточный вакуум: < 5·10^-8 Па

Подложки: 1х4″ или 3х2″

Максимальная рабочая температура нагревателя подложки: до 1200 °С

Доступные структуры для синтеза:

• Гетероструктуры А3В5, в т.ч. пониженной размерности
• Наногетероструктуры GaInAlAs, в т.ч. с квантовыми ямами
• Квантовые точки (In,Ga)As/AlInGaAs и GaAs/AlGaAs
• Нитевидные нанокристаллы (Ga,In)As/Si, в т.ч. структуры типа core-shell
• Гибридные структуры типа «металл-полупроводник»: (In,Ga,Al)/AlGaInAs

Оборудование используется при выполнении проектов:

• Молекулярно-лучевая эпитакция A3B5

Иногда растет такое: