Ручная установка совмещения и экспонирования – MJB4, Suss

Установка для совмещения и экспонирования позволяет получать фотолитографические изображения с разрешением до 1 мкм. Предназначена для использования в мелкосерийном производстве и опытных разработках. Позволяет проводить литографию на стандартных пластинах диаметром не более 100 мм и подложках неправильной формы не менее 10×10 мм. Совмещение осуществляется с помощью микроскопа с расщепленным полем с 10x и 20x увеличением.

Минимальное разрешение: не менее 1 мкм (зависит от типа контакта, используемого фоторезиста и геометрии образца)

Тип лампы: Hg-Xe 500 Вт (240-260 нм)

Размер подложек: не менее 10×10 мм, не более 100 мм

Толщина подложек: не более 4 мм

Тип контакта:

Мягкий контакт (разрешение не менее 2 — 3 мкм)
Жесткий контакт
Низковакуумный контакт
Вакуумный контакт (позволяет достичь наилучшего разрешения)
Экспонирование с зазором (расстояние между подложкой и фотошаблоном до 50 мкм после их предварительного совмещения)

Точность совмещения по X, Y и углу Θ: менее 1 мкм

Диапазон перемещения подложки по оси X и Y при совмещении: ±5 мм

Общая толщина фотошаблона и образца: не более 9 мм

Размер фотошаблона: 125 × 125 мм

Объективы: 10x, 20x

Доступные методики измерений:

Прямая фотолитография
Обратная фотолитография (взрывная)

Оборудование используется при выполнении проектов:

Выглядит хорошо:

Лаборатория ТФН занимается исследованиями в области синтеза наноматериалов, создания прототипов устройств и элементов микро- и нананоэлектроники, разработки новых материалов.

8 863 218-40-00 (доб. 30105) • fntlab@sfedu.ru
347922, Россия, г. Таганрог, ул. Шевченко, 2, корпус Е

Связаться с нами

Разработка и поддержка
cCube.ru